高速大容量只读半导体存储器的设计研究

摘要

本文对只读半导体存储器MASKROM在原理上做了系统的说明和分析，并对一款50MHz频率，64Mb的SPIMASKROM的设计过程做了详细地描述。为了实现高速设计，同时节省芯片面积，设计中创造性地采用了一些新颖实用的方法，调整感应放大器个数和内部感应放大的间隔周期，解决了放大时间过长与高速读取频率间的矛盾，综合采用了多种方法，以减小内连线延迟对速度的影响，实现了极高的数据输出时间，从测试结果看，这些方法达到了较好的效果，使该产品在速度和成本上具有相当的竞争力。

目录

摘要

致谢

前言

第一章半导体存储器的简介

1.1半导体存储器的历史发展

1.2半导体存储器的特点分类

1.3半导体存储器的组成

1.4 MASKROM与Flash比较

第二章MASKROM原理分析

2.1 MASKROM的基本构造

2.2 MASKROM的原理

2.2.1平坦化存储单元和编程原理

2.2.2存储体

2.2.3数据读出原理

2.2.4性能指标

2.2.5常规设计方法

第三章一种高速SPI 64Mb MASKROM的设计

3.1产品简介

3.1.1产品特征

3.1.2封装类型与管脚定义

3.1.3产品的竞争优势

3.2设计要求概述

3.2.1产品基本功能说明

3.2.2正常模式下的数据输出

3.2.3快速模式下的数据输出

3.2.4数据输出时间要求

3.3设计评估

3.3.1高速时钟频率与字线延迟

3.3.2数据读取时间

3.3.3数据输出时间

3.4解决方案

3.4.1采用新型X方向预解码器预拉字线

3.4.2增加感应放大器个数以保证数据读取时间

3.4.3减小时钟内部延迟时间

3.5版图设计计划和电源分布计划图

3.6建立仿真电路模型

第四章仿真分析结果

4.1利用HSPICE进行仿真的结果

4.2逻辑仿真的结果

总结

参考文献

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