机译:制造半导体器件的方法,制造具有半导体元件的半导体晶片的方法,制造具有粘性层的半导体晶片的方法以及制造半导体晶片层叠体的方法
公开/公告号WO2012153846A1
专利类型
公开/公告日2012-11-15
原文格式PDF
申请/专利权人 HITACHI CHEMICAL COMPANY LTD.;MITSUKURA KAZUYUKI;OOKUBO KEISUKE;ENOMOTO TETSUYA;MASUKO TAKASHI;NAGAI AKIRA;
申请/专利号WO2012JP62169
申请日2012-05-11
分类号H01L21/60;C09J4/02;C09J7/02;H01L21/52;
国家 WO
入库时间 2022-08-21 16:36:28