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Method of executing wear leveling in a flash memory device according to ambient temperature information and related flash memory device

机译:根据环境温度信息在闪存设备中执行损耗均衡的方法及相关的闪存设备

摘要

A method of executing wear leveling in a flash memory device includes determining whether a current temperature is in a normal operating temperature range of the flash memory device, and reprogramming data associated with data blocks to another location in a flash memory array when the current temperature is in the normal operating temperature range of the flash memory device, wherein the data is programmed in a temperature out of the normal operating temperature range of the flash memory device.
机译:一种在闪存设备中执行损耗均衡的方法,包括:确定当前温度是否在闪存设备的正常工作温度范围内;以及当当前温度为零时,将与数据块相关联的数据重新编程到闪存阵列中的另一个位置。在闪存设备的正常工作温度范围内,其中将数据编程在闪存设备的正常工作温度范围之外的温度下。

著录项

  • 公开/公告号US8873323B2

    专利类型

  • 公开/公告日2014-10-28

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 TSENG-HO LI;

    申请/专利号US201213586867

  • 发明设计人 TSENG-HO LI;

    申请日2012-08-16

  • 分类号G11C7/04;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-21 16:03:39

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