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METHOD AND STRUCTURE FOR ADHESION OF INTERMETALLIC COMPOUND (IMC) ON CU PILLAR BUMP

机译:铜柱上金属间化合物粘附的方法和结构

摘要

Cu provides a method and structure for excellent adhesion of the intermetallic compound (IMC) on the pillar bumps. The method to form a deposition of a Cu layer and Cu-pillar, depositing a diffusion barrier layer on top of the Cu layer and the filler, to include depositing a cap layer on top of the Cu diffusion barrier layer, where the intermetallic compound (IMC ) is formed between the diffusion preventing layer is, the Cu cap layer and the solder layer placed on top of the Cu cap. The IMC has a good adhesion to the Cu-pillar structure, the thickness of the IMC can be controlled by the thickness of the Cu cap layer, and the diffusion prevention layer is limited to Cu is in the Cu from diffusing into the solder layer filler layer. The method may also include depositing a thin layer for improving the wettability to the top of the diffusion barrier layer before depositing the Cu cap. ;
机译:Cu提供了用于金属间化合物(IMC)在柱状凸块上的优异粘附的方法和结构。该方法用于形成Cu层和Cu柱的沉积,在Cu层和填料的顶部沉积扩散阻挡层,包括在Cu扩散阻挡层的顶部沉积覆盖层,其中金属间化合物( IMC)形成在防扩散层,Cu盖层和置于Cu盖顶部的焊料层之间。 IMC对Cu柱状结构具有良好的附着力,IMC的厚度可以通过Cu盖层的厚度来控制,并且防扩散层仅限于Cu在Cu中不会扩散到焊料层填充物中层。该方法还可以包括在沉积铜帽之前沉积薄层以改善对扩散阻挡层顶部的可湿性。 ;

著录项

  • 公开/公告号KR101344553B1

    专利类型

  • 公开/公告日2013-12-26

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人

    申请/专利号KR20100063691

  • 发明设计人 린 징-쳉;유 첸-후아;

    申请日2010-07-02

  • 分类号H01L21/60;

  • 国家 KR

  • 入库时间 2022-08-21 15:43:59

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