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FAST VERIFY FOR PHASE CHANGE MEMORY WITH SWITCH

机译:通过开关快速验证相变存储器

摘要

A phase change memory with switch (PCMS) compensates for threshold voltage drift by utilizing a lower demarcation voltage for a verify operation after programming than for a read operation occurring at least a predetermined period of time after the programming operation.
机译:带开关的相变存储器(PCMS)通过在编程后的验证操作中使用比在编程操作后至少预定时间段内发生的读取操作更低的分界电压来补偿阈值电压漂移。

著录项

  • 公开/公告号KR20140012181A

    专利类型

  • 公开/公告日2014-01-29

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 INTEL CORP.;

    申请/专利号KR20137033894

  • 发明设计人 KAU DERCHANG;

    申请日2012-06-18

  • 分类号G11C13/02;G11C16/34;

  • 国家 KR

  • 入库时间 2022-08-21 15:43:45

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