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A metallic bump structure without under bump metallurgy and a manufacturing method thereof

机译:无凸块下冶金的金属凸块结构及其制造方法

摘要

PURPOSE: A metallic bump structure without an under bump metallurgy and a method for manufacturing the same are provided to firmly bond a metal bump on the die of a semiconductor by forming an isolation layer on the upper side of an input/output(I/O) pad. CONSTITUTION: An isolation layer(18) and a copper foil(20) are successively arranged on the active surface of a semiconductor device. The via is formed on the isolation layer and the copper foil on the I/O pad(12). A thin metal layer which is connected to the copper foil in the via and the I/O pad is formed. A plating resist with an opening is formed on the upper surface of the copper foil in order to expose the via.
机译:目的:提供一种不具有凸块下冶金的金属凸块结构及其制造方法,以通过在输入/输出(I / O)的上侧形成隔离层来将金属凸块牢固地结合在半导体的管芯上。 )垫。组成:隔离层(18)和铜箔(20)依次排列在半导体器件的有源表面上。在隔离层上形成通孔,在I / O焊盘(12)上形成铜箔。形成在通孔和I / O焊盘上连接到铜箔的薄金属层。在铜箔的上表面上形成具有开口的抗镀剂以暴露通孔。

著录项

  • 公开/公告号KR101443922B1

    专利类型

  • 公开/公告日2014-09-29

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人

    申请/专利号KR20080107874

  • 发明设计人 유 완-링;

    申请日2008-10-31

  • 分类号H01L21/60;

  • 国家 KR

  • 入库时间 2022-08-21 15:40:03

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