机译:用于半导体制造过程的抗蚀剂组合物,抗蚀剂膜,抗蚀剂涂覆的掩模坯料,光掩模以及使用该抗蚀剂组合物形成抗蚀剂图案的方法以及用于制造电子设备和电子设备的方法
公开/公告号JP2015022074A
专利类型
公开/公告日2015-02-02
原文格式PDF
申请/专利权人 FUJIFILM CORP;
申请/专利号JP20130148762
申请日2013-07-17
分类号G03F7/004;H01L21/027;G03F7/038;G03F7/039;
国家 JP
入库时间 2022-08-21 15:31:08