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Etching simulation device , etching simulation method , program , storage medium .

机译:蚀刻模拟装置,蚀刻模拟方法,程序,存储介质。

摘要

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an etching simulation device and the like capable of reducing a cost when generating mask data by performing an etching simulation accurately reflecting a change in a shape of an embossed plate.;SOLUTION: An etching simulation device 1 performs a simulation for etching on height field data (an etching object) 29 using mask data 26 generated by using height field data (texture) 25. In that case, the etching simulation device 1 reflects, on a mask section 26b side, an influence of a side etching in which the etching progresses according to distance from a boundary between the mask section 26b and an opening 26a, to a simulation result based on a side etching profile 27a, and reflects an influence of a round etching whose etching speed varies depending on a corner part that the etching object has, to the simulation result using a round etching profile 27b.;COPYRIGHT: (C)2013,JPO&INPIT
机译:解决的问题:提供一种蚀刻模拟装置等,其能够通过准确地反映出压花板的形状变化的蚀刻模拟来降低生成掩模数据时的成本。使用通过使用高度场数据(纹理)25生成的掩模数据26在高度场数据(蚀刻对象)29上进行蚀刻的模拟。在这种情况下,蚀刻模拟装置1在掩模部分26b侧上反映出掩模的影响。侧面蚀刻,其中蚀刻根据从掩模部分26b和开口26a之间的边界的距离进行,到基于侧面蚀刻轮廓27a的模拟结果,并且反映了圆形蚀刻的影响,其蚀刻速度根据使用圆形蚀刻轮廓27b对蚀刻对象具有的角部分进行仿真的结果。;版权所有(C)2013,JPO&INPIT

著录项

  • 公开/公告号JP5673231B2

    专利类型

  • 公开/公告日2015-02-18

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 大日本印刷株式会社;

    申请/专利号JP20110051088

  • 发明设计人 松藤 和夫;

    申请日2011-03-09

  • 分类号G06F17/50;

  • 国家 JP

  • 入库时间 2022-08-21 15:29:18

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