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Stack structure comprising epitaxial graphene, method of forming the stack structure and electronic device comprising the stack structure

机译:包括外延石墨烯的堆叠结构,形成该堆叠结构的方法以及包括该堆叠结构的电子器件

摘要

epitaxial graphene stacked structure comprising (epitaxial graphene) the formation of the layered structure and the way It is described for the electronic device comprising a laminated structure. One embodiment of the stacked structure of the disclosed invention The present invention comprises an Si substrate , an underlayer provided on the Si substrate , and an epitaxial graphene layer provided on at least one of the base layers (epitaxial graphene) the It provides a laminated structure .
机译:包括(外延石墨烯)的外延石墨烯堆叠结构的层状结构的形成和方式描述了包括层压结构的电子器件。公开的发明的堆叠结构的一个实施方式本发明包括Si衬底,设置在Si衬底上的底层以及设置在至少一个基层(外延石墨烯)上的外延石墨烯层。 。

著录项

  • 公开/公告号KR101490111B1

    专利类型

  • 公开/公告日2015-02-06

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人

    申请/专利号KR20080050467

  • 申请日2008-05-29

  • 分类号H01L21/20;H01L21/336;H01L29/78;

  • 国家 KR

  • 入库时间 2022-08-21 14:58:43

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