Arizona State University.;
机译:高k金属氧化物半导体栅堆叠中HfO_2 / SiO_2界面处的氟结合:局部电子结构
机译:一种有效的模型,用于分析通过Si反转层的超薄氧化物和高k栅堆叠的隧穿栅泄漏电流
机译:采用高k栅极电介质/金属栅极堆叠的覆盖层的厚度和材料对平坦带电压(V_(FB))和等效氧化物厚度(EOT)的依赖性,适用于先栅工艺应用
机译:具有高k和金属栅叠层的金属氧化物半导体器件的金属栅/高k界面的能带结构研究
机译:通过分子电子学和高k栅极氧化物扩展摩尔定律:界面现象。
机译:具有纳米堆叠的高k栅极电介质和3D鳍形结构的高性能III-V MOSFET
机译:用于CMOS高K栅堆叠缩放的硅上氧化锶层表征