University of Delaware.;
机译:过渡金属/稀土替代高K栅极电介质的电子结构:界面能带对准和固有缺陷
机译:摩尔定律迎接发展:到2010年,“超越摩尔定律”运动将重点放在系统集成而非晶体管密度上,这将带来革命性的多功能电子产品
机译:GE金属氧化物半导体器件上原子层沉积的ALN缓冲层的高k栅极堆叠的Geox界面层的抑制及高k栅极堆的电性能
机译:超越摩尔法的分子电子和纳米技术
机译:栅堆叠结构中高k氧化物的电子状态。
机译:使用氧化锆纳米线作为高k栅极电介质的高性能顶门石墨烯纳米晶体管
机译:高K金属栅极堆叠,具有由低温微波等离子体氧化形成的超薄界面层