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Integrated circuit with first and second switching devices, half-bridge circuit and method of manufacture

机译:具有第一和第二开关装置的集成电路,半桥电路及其制造方法

摘要

An integrated circuit (500) comprises a first switching device (T1) having a first semiconductor region in a first portion (100a) of a semiconductor part (100), and a second switching device (T2) having a second semiconductor region in a second part (100b ) of the semiconductor part (100). The first and second portions (100a, 100b) and electrode structures (310b, 311a, 312a) of the first and second switching devices (T1, T2) outside the semiconductor portion (100) are along a vertical axis perpendicular to a first surface (101) of the semiconductor portion (100) arranged.
机译:集成电路(500)包括:第一开关器件(T1),其在半导体部件(100)的第一部分(100a)中具有第一半导体区域;以及第二开关器件(T2),其在第二半导体器件中具有第二半导体区域。半导体部分(100)的部分(100b)。半导体部分(100)外部的第一和第二开关器件(T1,T2)的第一和第二部分(100a,100b)以及电极结构(310b,311a,312a)沿垂直于第一表面( 101)的半导体部分(100)排列。

著录项

  • 公开/公告号DE102014111653A1

    专利类型

  • 公开/公告日2015-02-19

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG;

    申请/专利号DE201410111653

  • 发明设计人 SYLVAIN LÉOMANT;MARTIN VIELEMEYER;

    申请日2014-08-14

  • 分类号H01L27/088;H01L21/8234;H01L21/822;H01L21/20;

  • 国家 DE

  • 入库时间 2022-08-21 14:55:06

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