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机译:离子-等离子体原子层蚀刻工艺和反应器
公开/公告号US2016276134A1
专利类型
公开/公告日2016-09-22
原文格式PDF
申请/专利权人 APPLIED MATERIALS INC.;
申请/专利号US201514660531
发明设计人 KENNETH S. COLLINS;KARTIK RAMASWAMY;JAMES D. CARDUCCI;SHAHID RAUF;LEONID DORF;YANG YANG;
申请日2015-03-17
分类号H01J37/32;
国家 US
入库时间 2022-08-21 14:37:27
机译: 离子等离子体原子层蚀刻工艺及反应器
机译: 离子-等离子体原子层蚀刻工艺和反应器