机译:去除III-V族元素氧化物的解决方案和方法,用于处理III-V族元素化合物的解决方案,用于防止III-V族元素氧化的解决方案,用于处理半导体基质的解决方案以及用于生产半导体基质产品的方法
公开/公告号WO2016129509A1
专利类型
公开/公告日2016-08-18
原文格式PDF
申请/专利权人 FUJIFILM CORPORATION;
申请/专利号WO2016JP53422
申请日2016-02-04
分类号H01L21/304;H01L21/308;
国家 WO
入库时间 2022-08-21 14:16:55