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III‑V族元素的氧化物的去除液及去除方法、III‑V族元素的化合物的处理液、III‑V族元素的抗氧化液、以及半导体基板的处理液及半导体基板产品的制造方法

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本发明提供一种含有酸与巯基化合物的III‑V族元素的氧化物的去除液、抗氧化液或处理液及使用这些的方法、以及含有酸与巯基化合物的半导体基板的处理液及使用该处理液的半导体基板产品的制造方法。

著录项

公开/公告号CN107210215A

专利类型发明专利
公开/公告日2017-09-26

原文格式PDF
申请/专利权人富士胶片株式会社;
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申请/专利号CN201680006546.5
发明设计人高桥智美;朴星戊;水谷笃史;稻叶正;
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申请日2016-02-04
分类号H01L21/304(20060101);H01L21/308(20060101);
代理机构11021 中科专利商标代理有限责任公司;
代理人葛凡
地址日本国东京都
入库时间 2023-06-19 03:26:00

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2017-10-27

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/304 申请日:20160204

实质审查的生效
2017-09-26

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