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III-V族元素抗氧化液、处理液、氧化物去除液及去除方法、半导体基板处理液及制造方法

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本发明提供一种含有酸与巯基化合物的III‑V族元素的氧化物的去除液、抗氧化液或处理液及使用这些的方法、以及含有酸与巯基化合物的半导体基板的处理液及使用该处理液的半导体基板产品的制造方法。

著录项

公开/公告号CN107210215B

专利类型发明专利
公开/公告日2022-01-11

原文格式PDF
申请/专利权人富士胶片株式会社;
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申请/专利号CN201680006546.5
发明设计人高桥智美;朴星戊;水谷笃史;稻叶正;
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申请日2016-02-04
分类号H01L21/304(20060101);H01L21/308(20060101);
代理机构11021 中科专利商标代理有限责任公司;
代理人王永红
地址日本国东京都
入库时间 2022-08-23 13:00:36

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