研究人员开发出整合III—V族与矽材料的3DFinFET半导体

摘要

比利时微电子研究中心（IMEC）宣称开发出全球首款在300mm晶圆上整合III—V族与矽晶材料的3DFinFET化合物半导体。IMEC的新制程目标是希望能持续微缩CMOS至7nm及其以下，以及实现混合CMOS—RF与CMOS光电元件的化合物。