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MULTILAYERS HAVING REDUCED PERPENDICULAR DEMAGNETIZING FIELD USING MOMENT DILUTION FOR SPINTRONIC APPLICATIONS

机译:利用矩量稀释法在自旋型应用中具有减小的垂直消磁场的多层

摘要

A magnetic element is disclosed that has a composite free layer with a FM1/moment diluting/FM2 configuration wherein FM1 and FM2 are magnetic layers made of one or more of Co, Fe, Ni, and B and the moment diluting layer is used to reduce the perpendicular demagnetizing field. As a result, lower resistance x area product and higher thermal stability are realized when perpendicular surface anisotropy dominates shape anisotropy to give a magnetization perpendicular to the planes of the FM1, FM2 layers. The moment diluting layer may be a non-magnetic metal like Ta or a CoFe alloy with a doped non-magnetic metal. A perpendicular Hk enhancing layer interfaces with the FM2 layer and may be an oxide to increase the perpendicular anisotropy field in the FM2 layer. The magnetic element may be part of a spintronic device or serve as a propagation medium in a domain wall motion device.
机译:公开了一种具有复合自由层的磁性元件,该复合自由层具有FM1 /时刻稀释/ FM2构造,其中FM1和FM2是由Co,Fe,Ni和B中的一种或多种制成的磁性层,并且该矩稀释层用于减少垂直退磁场。结果,当垂直表面各向异性支配形状各向异性以给出垂直于FM1,FM2层平面的磁化强度时,可以实现较低的电阻x面积乘积和较高的热稳定性。矩稀释层可以是诸如Ta的非磁性金属或具有掺杂的非磁性金属的CoFe合金。垂直的Hk增强层与FM2层相接,并且可以是氧化物,以增加FM2层中的垂直各向异性场。磁性元件可以是自旋电子设备的一部分,也可以用作畴壁运动设备中的传播介质。

著录项

  • 公开/公告号EP2705518B1

    专利类型

  • 公开/公告日2017-04-19

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 HEADWAY TECH INC;

    申请/专利号EP20120779816

  • 发明设计人 JAN GUENOLE;KULA WITOLD;TONG RU-YING;

    申请日2012-04-26

  • 分类号G11B5/39;G11C11/16;H01L43/02;H01L43/08;H01L43/10;H01L43/12;

  • 国家 EP

  • 入库时间 2022-08-21 14:07:02

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