具有增强的垂直各向异性的垂直自旋转移矩存储器(pSTTM)器件及其形成方法

摘要

用于pSTTM器件的材料层堆叠体包括固定磁性层，设置在固定磁性层上方的隧道势垒和设置在隧道势垒上的自由层。自由层还包括双层的堆叠体，其中，最上面的双层由包括铁的磁性层覆盖，并且其中，自由层中的每一个双层包括设置在磁性层上的诸如钨、钼的非磁性层。在实施例中，非磁性层具有的组合厚度小于双层的堆叠体中的磁性层的组合厚度的15％。包括自由层中的非磁性层的双层的堆叠体可以降低用于pSTTM器件的材料层堆叠体的饱和磁化，并且随后增加垂直磁各向异性。