公开/公告号CN110660899A
专利类型发明专利
公开/公告日2020-01-07
原文格式PDF
申请/专利权人 英特尔公司;
申请/专利号CN201910456880.6
申请日2019-05-29
分类号H01L43/02(20060101);H01L43/08(20060101);H01L43/12(20060101);
代理机构72001 中国专利代理(香港)有限公司;
代理人李啸;杨美灵
地址 美国加利福尼亚州
入库时间 2023-12-17 06:26:01
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2020-01-07
公开
公开
机译: 具有垂直磁各向异性多层的自旋转移矩磁随机存取存储器
机译: 具有垂直磁各向异性多层的自旋转移矩磁随机存取存储器
机译: 具有垂直磁各向异性多层的自旋转移矩磁随机存取存储器