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Quantum dot protective film, quantum dot film and backlight unit using the same

机译:量子点保护膜,量子点膜和使用其的背光单元

摘要

The first quantum dot protection film comprises a first barrier film including a silica deposition layer and a first diffusion layer. The O / Si ratio of the silica vapor-deposited layer is 1.7 to 2.0 in terms of atomic ratio, the refractive index of the silica vapor-deposited layer is 1.5 to 1.7, the wavelength of 450 nm, the wavelength of 540 nm and the wavelength of 620 nm The reflectance of the first quantum dot protective film at all wavelengths is 10% or more and 20% or less, and the transmittance is 80% or more and 95% or less.
机译:第一量子点保护膜包括第一阻挡膜,该第一阻挡膜包括二氧化硅沉积层和第一扩散层。二氧化硅气相沉积层的O / Si比以原子比计为1.7至2.0,二氧化硅气相沉积层的折射率为1.5至1.7,波长为450nm,波长为540nm,且620nm的波长第一量子点保护膜在所有波长下的反射率为10%以上且20%以下,并且透射率为80%以上且95%以下。

著录项

  • 公开/公告号JPWO2016059843A1

    专利类型

  • 公开/公告日2017-04-27

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 凸版印刷株式会社;

    申请/专利号JP20150560892

  • 发明设计人 時野谷 修;北原 吏里;西川 健;

    申请日2015-07-16

  • 分类号G02B5/20;F21S2/00;F21V9/16;B32B9/00;G02F1/13357;B32B7/02;F21Y115/10;

  • 国家 JP

  • 入库时间 2022-08-21 13:53:34

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