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Amino(iodo)silane precursors for ALD/CVD silicon-containing film applications and methods of using the same

机译：用于ALD / CVD含硅薄膜的氨基（碘）硅烷前体及其使用方法

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Disclosed are amino(iodo)silane precursors, methods of synthesizing the same, and methods of using the same to deposit silicon-containing films using vapor deposition processes. The disclosed amino(iodo)silane precursors include SiH₂I(N(iPr)₂) or SiH₂I(N(iBu)₂).

机译：公开了氨基（碘）硅烷前体，其合成方法以及使用其通过气相沉积工艺沉积含硅膜的方法。公开的氨基（碘）硅烷前体包括SiH _{2 I（N（iPr）_{2 ）或SiH _{2 I（N（iBu）< Sub> 2 ）。}}}

著录项

公开/公告号US9777373B2

专利类型
公开/公告日2017-10-03

原文格式PDF
申请/专利权人 AMERICAN AIR LIQUIDE INC.;
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申请/专利号US201514984866
发明设计人 BASTIEN LEFEVRE;GLENN KUCHENBEISER;
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申请日2015-12-30
分类号C23C16/455;C23C16/34;C23C16/56;H01L21/02;C01B21/068;H01L21/311;
国家 US
入库时间 2022-08-21 13:45:01

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