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Systems and methods for depositing materials on either side of a freestanding film using laser-assisted chemical vapor deposition (LA-CVD), and structures formed using same

机译:使用激光辅助化学气相沉积(LA-CVD)在独立膜的任一面上沉积材料的系统和方法,以及使用该系统和方法形成的结构

摘要

Embodiments of the present invention provide systems and methods for depositing materials on either side of a freestanding film using laser-assisted chemical vapor deposition (LA-CVD), and structures formed using same. A freestanding film, which is suspended over a cavity defined in a substrate, is exposed to a fluidic CVD precursor that reacts to form a solid material when exposed to light and/or heat. The freestanding film is then exposed to a laser beam in the presence of the precursor. The CVD precursor preferentially deposits on the surface(s) of the freestanding film.
机译:本发明的实施例提供了使用激光辅助化学气相沉积(LA-CVD)在独立膜的任一侧上沉积材料的系统和方法,以及使用该系统和方法形成的结构。将悬浮在衬底上限定的腔体上的独立膜暴露于流体CVD前体,当暴露于光和/或热时,该流体CVD前体反应形成固体材料。然后将独立膜在前体存在下暴露于激光束。 CVD前体优先沉积在独立膜的表面上。

著录项

  • 公开/公告号US9583354B2

    专利类型

  • 公开/公告日2017-02-28

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 MARGARET H. ABRAHAM;DAVID P. TAYLOR;

    申请/专利号US201113196619

  • 发明设计人 MARGARET H. ABRAHAM;DAVID P. TAYLOR;

    申请日2011-08-02

  • 分类号H01L21/20;H01L21/3065;C23C16/01;C23C16/18;C23C16/48;B81B3/00;B81C1/00;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-21 13:42:14

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