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Low noise InGaAs photodiode array

机译:低噪声InGaAs光电二极管阵列

摘要

A photodiode pixel structure for imaging short wave infrared (SWIR) and visible light built in a planar structure and may be used for one dimensional and two dimensional photodiode arrays. The photodiode arrays may be hybridized to a read out integrated circuit (ROIC), for example, a silicon complementary metal-oxide-semiconductor (CMOS) circuit. The photodiode in each pixel is buried under the surface and does not directly contact the ROIC amplification circuit. Disconnecting the photodiode from the ROIC amplification circuit enables low dark current as well as double correlated sampling in the pixel.
机译:用于成像短波红外(SWIR)和可见光的光电二极管像素结构内置在平面结构中,并且可以用于一维和二维光电二极管阵列。光电二极管阵列可以与读出集成电路(ROIC)例如硅互补金属氧化物半导体(CMOS)电路混合。每个像素中的光电二极管埋在表面下,并且不直接接触ROIC放大电路。将光电二极管与ROIC放大电路断开连接可实现低暗电流以及像素中的双相关采样。

著录项

  • 公开/公告号US10090356B2

    专利类型

  • 公开/公告日2018-10-02

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 PRINCETON INFRARED TECHNOLOGIES INC.;

    申请/专利号US201715846556

  • 发明设计人 MARTIN H. ETTENBERG;

    申请日2017-12-19

  • 分类号H01L21/00;H01L27/146;H01L29/66;H01L29/808;H01L31/18;H01L31/0304;H01L31/105;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-21 13:04:39

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