avalanche photodiode (APD), bonding, InGaAs/Si;
机译:高增益和低多余噪声InGaAs / InP雪崩光电二极管,具有横向冲击电离
机译:具有级联离散增益层倍增区域的InGaAs / InAlAs雪崩光电二极管的时间分辨增益和超额噪声特性
机译:具有级联离散增益层倍增区域的InGaAs / InAlAs雪崩光电二极管的时间分辨增益和超额噪声特性
机译:通过浮动护罩在平面InGaAs / IngaAsp / InP雪崩光电二极管中抑制结周边的雪崩增益
机译:蒙特卡洛模拟低噪声和高速雪崩光电二极管的增益,噪声和速度。
机译:InGaAs / InAlAs单光子雪崩光电二极管的理论分析
机译:InGaas高速光电二极管,InGaas / Inalas雪崩光电二极管和新型alassb雪崩光电二极管的设计和表征