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NON-PLANAR SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING CONFORMING OHMIC CONTACTS

机译:具有符合标准的欧姆接触的非平面半导体器件

摘要

An apparatus includes a non-planar semiconductor body; and a contact for the semiconductor body. The contact includes an epitaxial material that is formed on and contacts the semiconductor body. The contact includes a second material that is formed on and contacts the epitaxial material; and the second material at least partially conforms to an undercut of the epitaxial material.
机译:一种设备,包括非平面半导体本体;以及半导体本体的触点。接触件包括形成在半导体本体上并与其接触的外延材料。触点包括第二材料,该第二材料形成在外延材料上并与之接触;第二材料至少部分地符合外延材料的底切。

著录项

  • 公开/公告号WO2018111218A1

    专利类型

  • 公开/公告日2018-06-21

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 INTEL CORPORATION;

    申请/专利号WO2016US66124

  • 发明设计人 SAGAR ASHUTOSH;GOVINDARAJU SRIDHAR;

    申请日2016-12-12

  • 分类号H01L29/78;H01L29/66;H01L29/45;H01L21/20;

  • 国家 WO

  • 入库时间 2022-08-21 12:43:44

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