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Nondestructive read-out ferroelectric memory and method of manufacturing and operating the same

机译:非破坏性读出铁电存储器及其制造和操作方法

摘要

A non-destructive readout ferroelectric memory as well as a method of preparing the ferroelectric memory and a method of operating the ferroelectric memory are disclosed. The ferroelectric memory comprises a ferroelectric thin film layer. The ferroelectric memory of the invention can realize a non-destructive readout by way of current, is suitable for a high density application, is simple in preparation and has a low cost.
机译:公开了一种非破坏性读出铁电存储器,以及制备该铁电存储器的方法和操作该铁电存储器的方法。铁电存储器包括铁电薄膜层。本发明的铁电存储器可以通过电流实现无损读出,适用于高密度应用,制备简单,成本低廉。

著录项

  • 公开/公告号JP6543727B2

    专利类型

  • 公开/公告日2019-07-10

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 ▲復▼旦大学;

    申请/专利号JP20170557241

  • 发明设计人 江 安全;江 釣;耿 文平;白 子龍;

    申请日2015-06-26

  • 分类号H01L27/1159;H01L21/336;H01L29/788;H01L29/792;H01L45;H01L49;

  • 国家 JP

  • 入库时间 2022-08-21 12:18:50

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