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Methods of forming a microelectronic device structure, and related microelectronic device structures and microelectronic devices

机译:形成微电子器件结构的方法,以及相关的微电子器件结构和微电子器件

摘要

A method of forming a microelectronic device structure comprises coiling a portion of a wire up and around at least one sidewall of a structure protruding from a substrate. At least one interface between an upper region of the structure and an upper region of the coiled portion of the wire is welded to form a fused region between the structure and the wire.
机译:一种形成微电子器件结构的方法,该方法包括将导线的一部分向上卷绕并围绕从基板突出的结构的至少一个侧壁。焊接结构的上部区域和导线的盘绕部分的上部区域之间的至少一个界面,以在结构和导线之间形成熔融区域。

著录项

  • 公开/公告号US10136520B2

    专利类型

  • 公开/公告日2018-11-20

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 QUARTZDYNE INC.;

    申请/专利号US201715641057

  • 发明设计人 MARK HAHN;

    申请日2017-07-03

  • 分类号H01L23;H05K3/10;H05K3/32;B23K26/21;B23K9/09;B23K9/167;B23K26/0622;H05K1/18;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-21 12:09:52

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