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OPCOptical Proximity Correction EUVExtreme ultraviolet radiation Monitoring macro providing method OPC method and EUV mask manufacturing method

机译:视觉接近度校正EUV极端紫外线辐射监控宏提供方法OPC方法和EUV掩模制造方法

摘要

The present invention relates to a monitoring macro method comprising the steps of: generating a first simulation model by performing a first simulation on a sample macro including a plurality of pattern arrays each including a plurality of patterns and spaced apart, aligned, and positioned; generating a second simulation model by performing a second simulation different from the first simulation on the sample macro; and comparing the first and second simulation models and extracting at least some of the plurality of patterns of the sample macro to construct a monitoring macro.
机译:本发明涉及一种监视宏方法,包括以下步骤:通过对样本宏执行第一仿真来生成第一仿真模型,该样本宏包括多个图案阵列,每个图案阵列包括多个图案并且间隔,对准和定位;以及通过对样本宏执行与第一模拟不同的第二模拟来生成第二模拟模型;比较第一和第二仿真模型,并提取样本宏的多个模式中的至少一些,以构建监视宏。

著录项

  • 公开/公告号KR20190062026A

    专利类型

  • 公开/公告日2019-06-05

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 SAMSUNG ELECTRONICS CO. LTD.;

    申请/专利号KR1020170160998

  • 发明设计人 CHOI WOON HYUK;CHUNG NO YOUNG;

    申请日2017-11-28

  • 分类号G03F7/20;

  • 国家 KR

  • 入库时间 2022-08-21 11:50:46

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