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OPC OPC Design method for mask layout OPCOptical Proximity Correction method and methods for manufacturing mask using the OPC method

机译:OPC用于掩模版图的OPC设计方法OPC近似校正方法和使用OPC方法制造掩模的方法

摘要

The technical idea of the present invention is a mask layout design method, an OPC method, and a mask using the OPC method, which can effectively control a corner notch of a rectangular notch in a multi-height cell and realize a multi-height cell as one mask. Provide a manufacturing method. The mask layout design method is a layout design method for a pattern on a mask for forming a target pattern of a multi-height cell including a rectangular notch portion, which corresponds to the notch portion. Design a layout including a hexagonal notch design in which at least one side of the rectangular pattern on the mask is transformed into a hexagonal pattern.
机译:本发明的技术思想是一种掩膜版图设计方法,一种OPC方法以及一种使用该OPC方法的掩膜,可以有效地控制多高度单元中矩形槽口的角槽口,实现多高度单元。作为一个面具。提供一种制造方法。掩模布局设计方法是用于掩模上的图案的布局设计方法,该掩模用于形成包括与凹口部分相对应的矩形凹口部分的多高度单元的目标图案。设计包括六边形缺口设计的布局,其中将掩模上的矩形图案的至少一侧转换为六边形图案。

著录项

  • 公开/公告号KR20200072981A

    专利类型

  • 公开/公告日2020-06-23

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 삼성전자주식회사;

    申请/专利号KR20180161175

  • 发明设计人 강명호;이재명;

    申请日2018-12-13

  • 分类号G03F7/20;G03F1/36;G06F30;

  • 国家 KR

  • 入库时间 2022-08-21 11:06:43

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