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Grating chip for a magneto-optical trap and fabrication method

机译:磁光阱的光栅芯片及其制造方法

摘要

A grating chip 200 for a magneto-optical trap (GMOT) comprising four diffraction gratings 202, 204, 206, 208 (QUAD-grating), wherein each of the diffraction gratings 202, 204, 206, 208 comprises an array of grooves 210 on a surface 212 for diffracting light. The diffraction gratings 202, 204, 206, 208 diffract an input light beam 214 e.g. laser into first order diffracted beams 216 that intersect at region 218. At least one of the diffraction gratings 202, 204, 206, 208 comprises a reflective coating 211 e.g. aluminium, palladium, platinum. The grating pattern may be etched into a substrate using plasma etching. The period of the arrays of grooves may be within between 900nm to 1250nm e.g. 1080nm. The input light beam may have a wavelength of 569nm, 671nm, 767nm, 780nm or 852nm. The region 218 may be located above a point 220 at which each of the diffraction gratings 202, 204, 206, 208 touch.
机译:用于磁光阱(GMOT)的光栅芯片200,包括四个衍射光栅202、204、206、208(四重光栅),其中每个衍射光栅202、204、206、208包括位于其上的凹槽210的阵列用于使光衍射的表面212。衍射光栅202、204、206、208例如使输入光束214衍射。激光衍射成在区域218处相交的一阶衍射光束216。衍射光栅202、204、206、208中的至少一个包括反射涂层211,例如反射涂层211。铝,钯,铂。可以使用等离子体蚀刻将光栅图案蚀刻到基板中。凹槽的阵列的周期可以在900nm至1250nm之间,例如在200nm至200nm之间。 1080nm。输入光束可以具有569nm,671nm,767nm,780nm或852nm的波长。区域218可位于每个衍射光栅202、204、206、208接触的点220上方。

著录项

  • 公开/公告号GB201905800D0

    专利类型

  • 公开/公告日2019-06-05

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 UNIVERSITY OF STRATHCLYDE;

    申请/专利号GB20190005800

  • 发明设计人

    申请日2019-04-25

  • 分类号

  • 国家 GB

  • 入库时间 2022-08-21 11:43:27

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