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DUAL MODE FERROELECTRIC MEMORY CELL OPERATION

机译:双模式铁电存储单元操作

摘要

Methods, systems, and devices for dual mode ferroelectric memory cell operation are described. A memory array or portions of the array may be variously operated in volatile and non-volatile modes. For example, a memory cell may operate in a non-volatile mode and then operate in a volatile mode following a command initiated by a controller while the cell is operating in the non-volatile mode. The memory cell may operate in the volatile mode and then operate in the non-volatile mode following a subsequent command. In some examples, one memory cell of the memory array may operate in the non-volatile mode while another memory cell of the memory array operates in the volatile mode.
机译:描述了用于双模式铁电存储单元操作的方法,系统和设备。存储器阵列或阵列的部分可以以易失性和非易失性模式进行各种操作。例如,当存储单元以非易失性模式操作时,存储单元可以以非易失性模式操作,然后遵循由控制器发起的命令以易失性模式操作。存储器单元可以在易失性模式下操作,然后在后续命令之后在非易失性模式下操作。在一些示例中,存储阵列的一个存储单元可以以非易失性模式操作,而存储阵列的另一存储单元可以以易失模式操作。

著录项

  • 公开/公告号EP3635721A1

    专利类型

  • 公开/公告日2020-04-15

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 MICRON TECHNOLOGY INC.;

    申请/专利号EP20180814044

  • 发明设计人 VIMERCATI DANIELE;

    申请日2018-05-30

  • 分类号G11C11/22;

  • 国家 EP

  • 入库时间 2022-08-21 11:40:10

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