机译:1T2C型铁电存储单元的读取操作分析
ferroelectric-gate FET; retention; 1T2C; memory window;
机译:1T2C型铁电存储单元的读取操作分析
机译:1T2C型铁电存储单元的制备与表征
机译:1T2C型铁电存储器中数据读出干扰效应的改进
机译:具有非破坏性读出操作的非易失性FCG(铁电电容器和晶体管栅极连接)存储单元
机译:水蒸气电解池的过程分析和效率研究:第一部分。水蒸气电解池的数学模型。第二部分WVE细胞的循环操作。
机译:用于非易失性存储器和可重新配置逻辑门操作的石墨烯-铁电元设备
机译:用于非破坏性读出铁电畴壁电阻开关存储器的高导电域壁的临时形成
机译:利用铁电晶体管的静态随机存取存储单元的I-V特性。