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Protection circuits with negative gate swing capability

机译:具有负门摆幅功能的保护电路

摘要

A protection circuit can include a first clamping sub-circuit, a first switching sub-circuit and a first resistive sub-circuit coupled in series between a first and second node. The protection circuit can also include a second clamping sub-circuit, a second switching sub-circuit and a second resistive sub-circuit coupled in series between the second and first nodes. The first and second clamping sub-circuits and the first and second resistive sub-circuits can be configured to bias a switching shunt sub-circuit. The switching shunt sub-circuit can be configured to short the first and second nodes together in response to a bias potential from the first and second clamping sub-circuits and the first and second resistive sub-circuits indicative of an over-voltage, Electrostatic Discharge (ESD) or similar event. The first and second switching sub-circuits can be configured to prevent the occurrence of a current path through the first and second resistive sub-circuits at the same time.
机译:保护电路可以包括串联耦合在第一节点和第二节点之间的第一钳位子电路,第一开关子电路和第一电阻子电路。该保护电路还可以包括串联在第二和第一节点之间的第二钳位子电路,第二开关子电路和第二电阻性子电路。第一钳位子电路和第二钳位子电路以及第一电阻性子电路和第二电阻性子电路可以被配置为偏置开关并联子电路。开关并联子电路可以被配置为响应于来自第一和第二钳位子电路以及第一和第二电阻性子电路的指示过电压,静电放电的偏置电位而使第一和第二节点一起短路。 (ESD)或类似事件。第一和第二开关子电路可以被配置为防止同时出现通过第一和第二电阻性子电路的电流路径。

著录项

  • 公开/公告号US10693288B2

    专利类型

  • 公开/公告日2020-06-23

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 VISHAY-SILICONIX;

    申请/专利号US201816019282

  • 发明设计人 MUHAMMED AYMAN SHIBIB;CHUNGCHI GINA LIAO;

    申请日2018-06-26

  • 分类号H03K17/56;H02H3/02;H01L27/02;H01L29/778;H02H3/20;H03K17/0812;H03K17/687;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-21 11:31:01

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