机译:结合高通磁通集中器和磁通偏置电路的磁传感器
公开/公告号US2020081076A1
专利类型
公开/公告日2020-03-12
原文格式PDF
申请/专利号US201816128969
发明设计人 ANNA LEESE DE ESCOBAR;ROBERT LEWIS FAGALY;SUSAN ANNE ELIZABETH BERGGREN;BENJAMIN JEREMY TAYLOR;MARCIO CALIXTO DE ANDRADE;
申请日2018-09-12
分类号G01R33/035;H01F6/06;G01R33;
国家 US
入库时间 2022-08-21 11:25:14