每级具有多于两个检验电压的非易失性多级存储器单元编程

摘要

本发明的实施例提供用于编程多级非易失性多级存储器单元的方法、装置、模块及系统。一种方法包含增加一数目的存储器单元中的每一者的阈值电压(Vt)直到所述Vt达到对应于一数目的编程状态中的编程状态的检验电压(VFY)为止。所述方法包含确定所述单元中的每一者的所述Vt是否已达到与所述编程状态相关联的预检验电压(PVFY)；向耦合到其Vt已达到所述PVFY的那些单元的位线选择性地施加偏压；将所述PVFY调节到不同的电平；及向耦合到其Vt已达到所述经调节的PVFY的单元的位线选择性地施加偏压，其中所述PVFY及所述经调节的PVFY小于所述VFY。