用于在半导体结构上制造次分辨率对准标记的方法及包含次分辨率对准标记的半导体结构

摘要

本发明揭示一种制造包括次分辨率对准标记的半导体结构的方法。所述方法包括在衬底上形成电介质材料及形成至少一个部分延伸到所述电介质材料中的次分辨率对准标记。在所述电介质材料中形成至少一个开口。本发明还揭示包括所述次分辨率对准标记的半导体结构。