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一种在氧化锌铝导电薄膜上生长氧化锌纳米线阵列的方法

摘要

一种在氧化锌铝导电薄膜上生长氧化锌纳米线阵列的方法,采用氧化锌铝透明导电薄膜作为籽晶层,并在其上水热生长氧化锌纳米线。首先,利用溶胶-凝胶技术在ITO玻璃片上沉积氧化锌铝薄膜,其次采用水热自组装生长技术在氧化锌铝薄膜上生长氧化锌纳米线阵列,即可得到成本低廉、工艺要求简单、重复性好、可大规模制造且具有良好C轴择优取向和紫外受激发光特性的氧化锌纳米线阵列。

著录项

  • 公开/公告号CN101824613B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2012-07-04

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 西安交通大学;

    申请/专利号CN201010150281.0

  • 发明设计人 阙文修;张进;

    申请日2010-04-19

  • 分类号

  • 代理机构西安通大专利代理有限责任公司;

  • 代理人陆万寿

  • 地址 710049 陕西省西安市咸宁路28号

  • 入库时间 2022-08-23 09:10:25

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2017-06-09

    未缴年费专利权终止 IPC(主分类):C23C 20/08 授权公告日:20120704 终止日期:20160419 申请日:20100419

    专利权的终止

  • 2012-07-04

    授权

    授权

  • 2010-10-27

    实质审查的生效 IPC(主分类):C23C 20/08 申请日:20100419

    实质审查的生效

  • 2010-09-08

    公开

    公开

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