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公开/公告号CN101899706B
专利类型发明专利
公开/公告日2012-05-30
原文格式PDF
申请/专利权人 中国科学院半导体研究所;
申请/专利号CN201010201505.6
发明设计人 孙莉莉;闫发旺;张会肖;王军喜;王国宏;曾一平;李晋闽;
申请日2010-06-09
分类号
代理机构中科专利商标代理有限责任公司;
代理人周国城
地址 100083 北京市海淀区清华东路甲35号
入库时间 2022-08-23 09:09:59
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2012-05-30
授权
2011-01-12
实质审查的生效 IPC(主分类):C30B 25/18 申请日:20100609
实质审查的生效
2010-12-01
公开
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机译: 用于GaN基半导体的晶体生长的多晶铝氮化物基材料以及使用该材料制造GaN基半导体的方法
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