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CMOS微机电系统(MEMS)装置的制造方法

摘要

本发明是有关于一种用于制造MEMS装置的方法包含提供衬底。随后,在衬底上在第一侧形成结构介电层,其中隔膜嵌入于结构介电层中。从第二侧图案化衬底以在衬底中形成对应于隔膜的腔和多个通风孔。经由通风孔从衬底的第一侧和第二侧执行各向同性蚀刻工艺,以移除结构介电层的介电部分以暴露隔膜的中央部分,同时端部由结构介电层的残余部分固持。本发明的CMOS微机电系统(MEMS)装置的制造方法,可以减少的底切形成通风孔且还减少对隔膜的损坏。

著录项

  • 公开/公告号CN101927977B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2012-05-30

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 鑫创科技股份有限公司;

    申请/专利号CN200910168952.3

  • 发明设计人 谢聪敏;李建兴;

    申请日2009-09-02

  • 分类号H01L21/00(20060101);B81C1/00(20060101);B81B7/02(20060101);

  • 代理机构11019 北京中原华和知识产权代理有限责任公司;

  • 代理人寿宁;张华辉

  • 地址 中国台湾新竹县竹北市台元街22号5楼之1

  • 入库时间 2022-08-23 09:09:57

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2012-05-30

    授权

    授权

  • 2011-02-16

    实质审查的生效 IPC(主分类):B81C 1/00 申请日:20090902

    实质审查的生效

  • 2010-12-29

    公开

    公开

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