基于CMOS工艺的CMOS-MEMS全集成热电堆芯片及制造方法

摘要

本发明提供了一种基于CMOS工艺的CMOS‑MEMS全集成热电堆芯片及制造方法，包括衬底、微电机系统以及专用集成电路系统，微电机系统和集成电路系统二者在衬底上呈分隔设置，且衬底上设置有隔离层；专用集成电路系统包括MOS管，微电机系统包括由多组热电偶串联形成的热电堆和热沉区，微电机系统所在的衬底的背部开设有空腔，隔离层将热电偶和热沉区二者与空腔分隔；热电偶与专用集成电路系统电连接，热沉区接地或悬空，且热沉区的内壁构成冷端边界并延伸至空腔的上方，从而使热沉区的内壁为热电堆的冷端，使热电堆的冷端和热端距离固定，进而提高了产品的一致性。