一种硅膜压阻压力传感器的制造方法及其传感器

摘要

本发明提供了一种正面加工硅膜压阻压力传感器及其制造方法，该传感器的特点是硅膜下的空腔是从衬底硅体内镂空形成的空腔腔体，它的形成步骤a、在衬底硅膜设计区的下方及两侧进行重掺杂，形成连通的低阻区；b、采用阳极氧化技术，使低阻区的硅转变成多孔硅；c、用腐蚀液腐蚀多孔硅；d、用淀积物填平硅膜两侧腐蚀多孔硅后形成的腔体开口。采用这种方法使器件成本低、性能可靠、易于集成和大批量生产。