一种测定多晶硅中硼、磷含量的方法

摘要

本发明公开了一种测定多晶硅中硼、磷含量的方法，该方法为：在氩气气氛中将多晶硅拉制成单晶硅；测量单晶硅预设位置的电阻率和P/N类型；将单晶硅中硼、磷之间的差量公式与单晶硅预设位置的分凝系数公式结合起来，以单晶硅中硼含量和磷含量作为未知数，建立二元一次方程组；依据二元一次方程组，得到多晶硅中硼的含量和磷的含量。与现有技术相比，本发明在测得单晶硅预设位置的电阻率和P/N类型后，即可根据所测的电阻率、P/N类型和已有的公式计算出单晶硅中硼、磷的含量，即多晶硅中硼、磷的含量，由于本发明在测得数据后采用公式计算，因此节约大量的时间；另外，无需用到低温傅里叶变换红外光谱仪或低温傅里叶变换光致发光仪，因此节省成本。