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形成超导器件的方法及如此形成的超导器件

摘要

本发明提供了一种用于在超导薄膜上使用选择蚀刻技术形成超导器件(232)的方法。该方法利用将离子注入与化学蚀刻结合的快速蚀刻。超导薄膜要保留的部分在离子注入处理(217)中被掩盖(215)。然后化学蚀刻处理以比没有注入的部分(223)快得多的速度去掉超导薄膜经注入的部分(225,227),从而只保留了未注入的部分(223)。得到的超导器件可以用作超微型结构和微型的尖头、辐射热测量计、多层RF线圈、微波波导和滤波器。

著录项

  • 公开/公告号CN1102803C

    专利类型发明授权

  • 公开/公告日2003-03-05

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 纽约市哥伦比亚大学托管会;

    申请/专利号CN98803127.2

  • 发明设计人 马启元;陈名玲;

    申请日1998-01-21

  • 分类号H01L39/24;

  • 代理机构上海专利商标事务所;

  • 代理人陈亮

  • 地址 美国纽约州

  • 入库时间 2022-08-23 08:55:51

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2006-03-22

    专利权的终止未缴年费专利权终止

    专利权的终止未缴年费专利权终止

  • 2003-03-05

    授权

    授权

  • 2000-10-11

    实质审查请求的生效

    实质审查请求的生效

  • 2000-10-04

    公开

    公开

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