SOI基板的制造方法及SOI基板

摘要

本发明是一种SOI基板的制造方法，包含：共同准备由单晶硅晶片所组成的结合晶片与基底晶片的步骤；以贴合后的埋入氧化层的厚度成为3μm以上的方式，在结合晶片与基底晶片的至少其中一方的表面上，形成氧化膜的步骤；隔着氧化膜，将结合晶片与基底晶片贴合的步骤；对贴合基板，进行400℃以上1000℃以下的低温热处理的步骤；将结合晶片薄膜化而做成SOI层的步骤；以及以高于1000℃的温度，进行高温热处理来提高贴合强度的步骤。借此，提供一种SOI基板的制造方法，在根据贴合法来制造埋入氧化层的厚度是3μm以上的厚SOI基板的情况，能得到一种具有高品质的SOI层的SOI基板，可抑制滑移位错的发生。