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一种测量薄膜体声波谐振器本征Q值的方法

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摘要

本发明公开了一种测量薄膜体声波谐振器本征Q值的方法，包括以下步骤：(1)基于PMBVD模型将由薄膜体声波谐振器及其寄生电路构成的整体电路拆分成三个级联的二端口网络；(2)读取若干工作频率下整体电路的S参数并转换成对应的T参数，利用公式T

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2016-08-03

未缴年费专利权终止 IPC(主分类):G01R 27/26 授权公告日:20120509 终止日期:20150607 申请日:20100607

专利权的终止
2012-05-09

授权

授权
2010-12-01

实质审查的生效 IPC(主分类):G01R 27/26 申请日:20100607

实质审查的生效
2010-10-20

公开

公开

1. 一种测量薄膜体声波谐振器本征Q值的方法 [P] . 中国专利： CN101865955A . 2010-10-20
2. 一种高Q值薄膜体声波谐振器及其制备方法 [P] . 中国专利： CN112260659B . 2022-02-01
3. Thin film bulk acoustic resonator circuit using a manufacturing method and a thin film bulk acoustic resonator filter of filter [P] . 日本专利： JP4950267B2 . 2012-06-13

机译：使用制造方法的薄膜体声波谐振器电路和滤波器的薄膜体声波谐振器滤波器
4. Thin film bulk acoustic wave resonator, filter and communication apparatus and method of manufacturing a thin film bulk acoustic wave resonator comprising the same [P] . 日本专利： JP4791181B2 . 2011-10-12

机译：薄膜体声波谐振器，滤波器和通信设备以及包括其的薄膜体声波谐振器的制造方法
5. Manufacturing method of a thin film bulk acoustic wave resonator and thin film bulk wave acoustic resonator [P] . 日本专利： JP3944161B2 . 2007-07-11

机译：薄膜体声波谐振器的制造方法及薄膜体声波谐振器