首页> 中国专利> 一种可阵列式用的全数字CMOS工艺实现的栅压自举开关

一种可阵列式用的全数字CMOS工艺实现的栅压自举开关

摘要

本发明属于集成电路技术领域,具体为一种可阵列式用的全数字CMOS工艺实现的栅压自举T/H开关。该T/H开关包括栅压自举环路和NMOS开关管。本发明中实现的可阵列式用的全数字CMOS工艺T/H开关摒弃传统的采用电容实现的栅压自举环路,采用反向连接的PMOS管来实现,从而大大减小的栅压自举开关的可实现芯片面积,更易于开关的集成和阵列应用。

著录项

  • 公开/公告号CN102006041B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2012-05-09

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 复旦大学;

    申请/专利号CN201010604307.4

  • 发明设计人 任俊彦;王明硕;

    申请日2010-12-24

  • 分类号

  • 代理机构上海正旦专利代理有限公司;

  • 代理人陆飞

  • 地址 200433 上海市杨浦区邯郸路220号

  • 入库时间 2022-08-23 09:09:27

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2012-05-09

    授权

    授权

  • 2011-05-25

    实质审查的生效 IPC(主分类):H03K 17/687 申请日:20101224

    实质审查的生效

  • 2011-04-06

    公开

    公开

相似文献

  • 专利
  • 中文文献
  • 外文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号