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公开/公告号CN102006041B
专利类型发明专利
公开/公告日2012-05-09
原文格式PDF
申请/专利权人 复旦大学;
申请/专利号CN201010604307.4
发明设计人 任俊彦;王明硕;
申请日2010-12-24
分类号
代理机构上海正旦专利代理有限公司;
代理人陆飞
地址 200433 上海市杨浦区邯郸路220号
入库时间 2022-08-23 09:09:27
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2012-05-09
授权
2011-05-25
实质审查的生效 IPC(主分类):H03K 17/687 申请日:20101224
实质审查的生效
2011-04-06
公开
机译: 使用开关电容倍压器的全数字锁相环
机译: 在双栅CMOS工艺技术中减轻栅氧化层变薄
机译: CMOS工艺中的射频开关实现
机译:在130nm CMOS工艺中由于栅极氧化物过应力而导致的自举技术导致开关电容器电路的电路性能下降
机译:利用GaAs绝缘栅FET开关实现的高频GaAs开关电容器滤波器
机译:采用0.18μmCMOS工艺的防辐射自举开关
机译:通过浮栅结构和技术适应标准CMOS工艺。
机译:具有包络跟踪射频功率放大器的具有可编程阶环控制器的全数字快速跟踪开关转换器
机译:用于高通量数值控制工艺的电动开关控制阵列式大气压射频等离子体发生器的研制
机译:绝缘栅双极型晶体管(IGBT)功率模块中开关脉冲的热模拟。