用由假图形所形成的光刻胶掩模将层精确构图成目标图形的方法

摘要

由于显影后烘烤中的收缩而使光刻胶掩模(23a)的表面中出现张力，而形成于光刻胶掩膜中的粘附力(23c)吸收了该张力，因而保持对半导体衬底(22)粘附力，防止了光刻胶图形出现不希望的变形(图3D)。