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一种双层高介电常数栅介质薄膜及其制备方法

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摘要

本发明提出了一种同时具有高介电常数、低漏电流和低氧化层电荷密度、薄界面层的双层栅介质薄膜及其制备方法。它以硅片为基片，其特征在于先用磁控溅射的技术沉积一层很薄的缓冲层，该缓冲层为Si

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2014-01-29

未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 29/423 授权公告日:20120215 终止日期:20121128 申请日:20081128

专利权的终止
2012-02-15

授权

授权
2009-10-14

实质审查的生效

实质审查的生效
2009-08-19

公开

公开

1. 一种双层高介电常数栅介质薄膜及其制备方法 [P] . 中国专利： CN101510556B . 2012.02.15
2. 一种高介电常数栅介质SrHfON薄膜及其制备方法 [P] . 中国专利： CN101635307A . 2010-01-27
3. A transistor having a high dielectric constant gate oxide film forming method boundary layer reduction method, a high dielectric constant gate insulating film, a high dielectric constant gate insulating film, and high-k gate oxide film, [P] . 日本专利： JPWO2011068096A1 . 2013-04-18

机译：一种具有高介电常数栅氧化膜形成方法，边界层还原法，高介电常数栅绝缘膜，高介电常数栅绝缘膜和高k栅氧化膜的晶体管，
4. The high permittivity gate dielectric and compilation method of the semiconductor device which has the metal gate electrode [P] . 日本专利： JP2008523591A . 2008-07-03

机译：具有金属栅电极的半导体器件的高介电常数栅电介质及其制备方法
5. SOURCE REAGENT COMPOSITION FOR CVD FORMATION OF Zr/Hf DOPED GATE DIELECTRIC AND HIGH DIELECTRIC CONSTANT METAL OXIDE THIN FILMS AND METHOD OF USING SAME [P] . 欧洲知识产权局专利： EP1392462A4 . 2007-07-04

机译： Zr / Hf掺杂栅介质和高介电常数金属氧化物薄膜的CVD形成的源试剂组成及其使用方法