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薄膜晶体管及制造富硅沟道层的方法

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本发明公开了一种薄膜晶体管，适于配置于基板上，此薄膜晶体管包括栅极、栅绝缘层、富硅沟道层、源极与漏极。栅极配置于基板上。栅绝缘层配置于基板上以覆盖栅极。富硅沟道层配置于栅极上方，其中富硅沟道层的材料选自于由富硅氧化硅、富硅氮化硅、富硅氮氧化硅、富硅碳化硅与富硅碳氧化硅所组成的族群，且该富硅沟道层的膜层深度在10纳米(nanometers，nm)至170nm中的硅含量介于1E23atoms/cm

著录项

公开/公告号CN101789450B

专利类型发明专利
公开/公告日2012-02-01

原文格式PDF
申请/专利权人友达光电股份有限公司;
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申请/专利号CN201010106352.7
发明设计人卓恩宗;刘婉懿;陈佳楷;林武雄;陈俊雄;黄伟明;
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申请日2010-01-26
分类号
代理机构北京三友知识产权代理有限公司;
代理人任默闻
地址中国台湾新竹市
入库时间 2022-08-23 09:09:08

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2012-02-01

授权

授权
2010-09-22

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/786 申请日:20100126

实质审查的生效
2010-07-28

公开

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